如果說2016年是驍龍820全面普及和驍龍821緩緩而來的一年，那么2017很有可能就是驍龍835稱霸的一年。去年11月，高通公司表示將要推出采用10nm制程工藝的驍龍835處理器，據(jù)悉這款產(chǎn)品相比前代旗艦在性能上有27%提升，但功耗卻下降了40%，這里指的前代旗艦，很有可能就是指驍龍821。
高通驍龍系列芯片
外界猜測(cè)有關(guān)于這款處理器的消息最早將會(huì)與即將開始的CES展會(huì)上流出，不過現(xiàn)在外媒則提前曝光了驍龍835的規(guī)格。芯片核心方面，將采用八核心設(shè)計(jì)(4×2.45GHz大核、4×1.9GHz小核)，大小核均為Kryo280架構(gòu)，GPU為Adreno
540，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內(nèi)存，整合了Cat.16基帶。支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)，基于三星10nm
FinFET工藝打造。
驍龍835
此外，驍龍835將相比前輩們更好的支持于已經(jīng)興起的VR設(shè)備。而最為搶眼的充電方面，QuickCharge
4.0能實(shí)現(xiàn)充電五分鐘，提供5小時(shí)續(xù)航力、15分鐘內(nèi)將設(shè)備的電量充到50%，這一數(shù)據(jù)目前看來非常驚人。
LG G6渲染圖
至于第一款搭載這顆芯片的智能手機(jī)會(huì)花落誰家，目前局勢(shì)尚不清晰，外界猜測(cè)三星S8、LG G6以及小米6都有很大的可能成為這款處理器的首發(fā)產(chǎn)品。
